本篇文章给大家谈谈内存颗粒怎么看,以及内存颗粒怎么看批次对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站！
内容导航：- 如何辨别内存条颗粒。
- 内存颗粒怎么看
- 如何检测内存颗粒？
- 内存颗粒怎么看
- 怎么看内存条颗粒上参数看内存大小
- 如何辨别内存条颗粒。
Q1：如何辨别内存条颗粒。
可以的，看着颗粒上的编号，到颗粒的官方网站上对着编号的意思就能知道实际颗粒的容量大小了。当然，如果你本身就明白颗粒编号上的意思。那就能判断了。
Q2：内存颗粒怎么看
金士顿可以说是世界第一大内存生产厂商，其使用的内存颗粒，既有金士顿自己研发的产品颗粒，更多的则是采用其他厂商生产的内存颗粒，如今市面上营销最多用到的就是海力士颗粒和镁光颗粒的。
金士顿厂家生产的内存条所使用的常见内存颗粒如下：
1. MOSEL 茂矽颗粒
2. Winbond 华帮
3. Toshiba 日本东芝
4. Samsung 三星颗粒
5. Infineon 英飞凌颗粒
6. PSC 力晶颗粒
7. NANYA 南亚颗粒
8. HYNIX 现代颗粒
9. Hynix 海力士颗粒
10. ELPIDA 尔必达颗粒
11. Micron 镁光
内存条由芯片、PCB电路板以及一些电阻、电容组成，外观标识较少，大多没有正式的外包装，普通消费者单从外观上很难判断其优劣，在选购时就更应该留神。较常见的内存造假方法是用劣质货冒充名牌产品。内存芯片出厂需经前工序、后工序和检验工序三个步骤。
扩展资料：
1. 金士顿的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
2. 金士顿的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而金士顿的HyperX系列其超频性也不错，金士顿 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。
3. 虽然金士顿和KingMax、Apacer这类品牌内存都使用的自己生产的颗粒，假冒产品较少。但是还有手段高超的奸商“造”出了假货，最近在市场就上出现了仿冒的金士顿内存，其使用的是三星的原厂内存进行仿冒的。不过假冒内存条的识别方法也很简单，只需要注意在PCB板上印有SUNSAMG的字样（由于工艺问题造假者还不太容易将其去掉）我们在购买的时候也可以看产品是否具有代理商提供的防伪标签，并且可以拨打防伪电话辨别真伪。
Q3：如何检测内存颗粒？
01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF
12345678
闪动的一排测试数字代表内存8颗粒的测试情况。
从左至右，0-7代表第一区域，8-F代表第二区域;0-7代表第三区域,8-F代表第四区域;……依次代表内存条的8颗颗粒。
⒈DDR8位与16位的单面测法:
⑴. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏
⑵. 8-F(2 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏
⑶. 0-7(3 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏
⑷. 8-F(4 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏
⑸. 0-7(5 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏
⑹. 8-F(6 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏
⑺. 0-7(7 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏
⑻. 8-F(8 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏
注意:DDR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8
⒉如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:
1-16M ----------------------------------------------------------------------------
16-32M ------------------------------------------------------------------
32-48M --------------------------------------------------------------------------------------------
48-64M-----------------------------------------------------------------------------------------------
从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)
64-80M -------------------------------------------------------------------------------------------------
80-96M ------------------------------------------------------------------------------------------------
96-112M----------------------------------------------------------------------------------------------
112-128M-----------------------------------------------------------------------------------------------
从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)
意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面，93与184的代表第二面。1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.
⒊SD的8位与16位的单面测法:
⑴. 0-7(1)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第8颗粒已经损坏
⑵. 8-F(2)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第4颗粒已经损坏
⑶. 0-7(3)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第7颗粒已经损坏
⑷. 8-F(4)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第3颗粒已经损坏
⑸. 0-7(5)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第6颗粒已经损坏
⑹. 8-F(6)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第2颗粒已经损坏
⑺. 0-7(7)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第5颗粒已经损坏
⑻. 8-F(8)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第1颗粒已经损坏
（注： PCB板上从1到84为第一面，颗粒的排列顺序从1到84为8-7-6-5-4-3-2-1，切记注意）
Q4：内存颗粒怎么看
内存条是由电路板（PCB板） 内存颗粒SPD芯片（有八针因脚的黑色芯片，主要是用来纪录内存的工作电压 工作频率CLS时序 生产厂家等信息的芯片） 贴片式电容和金手指组成的，内存条上偶数个大的方块形状的芯片就是内存颗粒，内存一般由8个（单面）和16个（双面）颗粒组成的。内存厂商又分为晶圆厂商（专业制造内存颗粒）和模组厂商（专业采购颗粒组装和生产成品及测试等）。
为了防止买到被打磨过的内存，我们在选购时可以通过以下几点来判断。
第一，看内存颗粒上的编码是否清晰锐利，各颗粒上的编号是否一致。再用力搓一下编码看是否掉色脱落.
第二，选用优质PCB板的内存。PCB板作为内存的根基，购买时应该选择做工精良、用料厚实的产品，同时也需要选择金手指较厚实的内存。
第三，不可忽视的SPD(Serial Presence Detect串行侦测)芯片。SPD是一颗8Pin的小芯片，一般是1个容量为256字节(2Kbit)的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器芯片)。SPD
的作用是记录内存的速度、容量、电压等参数信息，当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有
SPD或者其中的信息错误，则会出现死机、不兼容等现象。因此，选购内存时一定不能选择缺少SPD芯片的产品。
第四，用料和做工同样重要。有了优质的颗粒、PCB板和SPD芯片后，将他们焊接在一起的制作工艺也显得十分重要。不合格的焊料和焊接技术会产生大量的“虚焊”，一般肉眼看不出有任何不妥，但在使用一段时间后便会逐渐氧化接着脱焊。因此除了选购知名品牌的内存外，选择售后服务完善的品牌也非常重要。
Q5：怎么看内存条颗粒上参数看内存大小
这些都是垃圾，这些软件都检测不出来真实的，例如内存只要刷过cas芯片这些软件根本检测不出来，即使最新版本的都是这个样子。你可以把内存拿下来看颗粒。内存颗粒我以现代的内存颗粒编号为例。头2位英文位使用规则编号，3位4位为内存速度的编号。后面5位是内存位数。然后6位7位是内存大小编号。例如56就代表整条内存是用于现代256标准内存的颗粒单面颗粒。28就是128的
1g的就是表示位10。记住不要相信软件否则js可以随便蒙人。因为我曾经就做过js
请参考
Q6：如何辨别内存条颗粒。
Samsung内存
具体含义解释：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
Infineon（英飞凌）
Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）
V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT
内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
A－DATA
这是A－DATA的DDR500
关于内存颗粒怎么看和内存颗粒怎么看批次的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。
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Q1：如何辨别内存条颗粒。
可以的，看着颗粒上的编号，到颗粒的官方网站上对着编号的意思就能知道实际颗粒的容量大小了。当然，如果你本身就明白颗粒编号上的意思。那就能判断了。
Q2：内存颗粒怎么看
金士顿可以说是世界第一大内存生产厂商，其使用的内存颗粒，既有金士顿自己研发的产品颗粒，更多的则是采用其他厂商生产的内存颗粒，如今市面上营销最多用到的就是海力士颗粒和镁光颗粒的。
金士顿厂家生产的内存条所使用的常见内存颗粒如下：
1. MOSEL 茂矽颗粒
2. Winbond 华帮
3. Toshiba 日本东芝
4. Samsung 三星颗粒
5. Infineon 英飞凌颗粒
6. PSC 力晶颗粒
7. NANYA 南亚颗粒
8. HYNIX 现代颗粒
9. Hynix 海力士颗粒
10. ELPIDA 尔必达颗粒
11. Micron 镁光
内存条由芯片、PCB电路板以及一些电阻、电容组成，外观标识较少，大多没有正式的外包装，普通消费者单从外观上很难判断其优劣，在选购时就更应该留神。较常见的内存造假方法是用劣质货冒充名牌产品。内存芯片出厂需经前工序、后工序和检验工序三个步骤。
扩展资料：
1. 金士顿的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
2. 金士顿的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而金士顿的HyperX系列其超频性也不错，金士顿 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。
3. 虽然金士顿和KingMax、Apacer这类品牌内存都使用的自己生产的颗粒，假冒产品较少。但是还有手段高超的奸商“造”出了假货，最近在市场就上出现了仿冒的金士顿内存，其使用的是三星的原厂内存进行仿冒的。不过假冒内存条的识别方法也很简单，只需要注意在PCB板上印有SUNSAMG的字样（由于工艺问题造假者还不太容易将其去掉）我们在购买的时候也可以看产品是否具有代理商提供的防伪标签，并且可以拨打防伪电话辨别真伪。
Q3：如何检测内存颗粒？
01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF
12345678
闪动的一排测试数字代表内存8颗粒的测试情况。
从左至右，0-7代表第一区域，8-F代表第二区域;0-7代表第三区域,8-F代表第四区域;……依次代表内存条的8颗颗粒。
⒈DDR8位与16位的单面测法:
⑴. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏
⑵. 8-F(2 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏
⑶. 0-7(3 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏
⑷. 8-F(4 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏
⑸. 0-7(5 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏
⑹. 8-F(6 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏
⑺. 0-7(7 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏
⑻. 8-F(8 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏
注意:DDR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8
⒉如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:
1-16M ----------------------------------------------------------------------------
16-32M ------------------------------------------------------------------
32-48M --------------------------------------------------------------------------------------------
48-64M-----------------------------------------------------------------------------------------------
从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)
64-80M -------------------------------------------------------------------------------------------------
80-96M ------------------------------------------------------------------------------------------------
96-112M----------------------------------------------------------------------------------------------
112-128M-----------------------------------------------------------------------------------------------
从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)
意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面，93与184的代表第二面。1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.
⒊SD的8位与16位的单面测法:
⑴. 0-7(1)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第8颗粒已经损坏
⑵. 8-F(2)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第4颗粒已经损坏
⑶. 0-7(3)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第7颗粒已经损坏
⑷. 8-F(4)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第3颗粒已经损坏
⑸. 0-7(5)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第6颗粒已经损坏
⑹. 8-F(6)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第2颗粒已经损坏
⑺. 0-7(7)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第5颗粒已经损坏
⑻. 8-F(8)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第1颗粒已经损坏
（注： PCB板上从1到84为第一面，颗粒的排列顺序从1到84为8-7-6-5-4-3-2-1，切记注意）
Q4：内存颗粒怎么看
内存条是由电路板（PCB板） 内存颗粒SPD芯片（有八针因脚的黑色芯片，主要是用来纪录内存的工作电压 工作频率CLS时序 生产厂家等信息的芯片） 贴片式电容和金手指组成的，内存条上偶数个大的方块形状的芯片就是内存颗粒，内存一般由8个（单面）和16个（双面）颗粒组成的。内存厂商又分为晶圆厂商（专业制造内存颗粒）和模组厂商（专业采购颗粒组装和生产成品及测试等）。
为了防止买到被打磨过的内存，我们在选购时可以通过以下几点来判断。
第一，看内存颗粒上的编码是否清晰锐利，各颗粒上的编号是否一致。再用力搓一下编码看是否掉色脱落.
第二，选用优质PCB板的内存。PCB板作为内存的根基，购买时应该选择做工精良、用料厚实的产品，同时也需要选择金手指较厚实的内存。
第三，不可忽视的SPD(Serial Presence Detect串行侦测)芯片。SPD是一颗8Pin的小芯片，一般是1个容量为256字节(2Kbit)的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器芯片)。SPD
的作用是记录内存的速度、容量、电压等参数信息，当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有
SPD或者其中的信息错误，则会出现死机、不兼容等现象。因此，选购内存时一定不能选择缺少SPD芯片的产品。
第四，用料和做工同样重要。有了优质的颗粒、PCB板和SPD芯片后，将他们焊接在一起的制作工艺也显得十分重要。不合格的焊料和焊接技术会产生大量的“虚焊”，一般肉眼看不出有任何不妥，但在使用一段时间后便会逐渐氧化接着脱焊。因此除了选购知名品牌的内存外，选择售后服务完善的品牌也非常重要。
Q5：怎么看内存条颗粒上参数看内存大小
这些都是垃圾，这些软件都检测不出来真实的，例如内存只要刷过cas芯片这些软件根本检测不出来，即使最新版本的都是这个样子。你可以把内存拿下来看颗粒。内存颗粒我以现代的内存颗粒编号为例。头2位英文位使用规则编号，3位4位为内存速度的编号。后面5位是内存位数。然后6位7位是内存大小编号。例如56就代表整条内存是用于现代256标准内存的颗粒单面颗粒。28就是128的
1g的就是表示位10。记住不要相信软件否则js可以随便蒙人。因为我曾经就做过js
请参考
Q6：如何辨别内存条颗粒。
Samsung内存
具体含义解释：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
Infineon（英飞凌）
Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）
V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT
内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
A－DATA
这是A－DATA的DDR500
关于内存颗粒怎么看和内存颗粒怎么看批次的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。
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